芯片產業帝國  第305節

類別: 都市 | 商戰職場 | 芯片產業帝國 | 樹葉上的水珠   作者:樹葉上的水珠  書名:芯片產業帝國  更新時間:2021-04-03
 
對于10億美金存儲芯片訂單,世界5大存儲芯片制造商,美光公司,三木桑公司,英飛凌公司,東芝公司,日立公司,可謂是饞涎欲滴,非常期望獲得大深市芯片產業有限公司的存儲芯片巨額訂單。

所以,當李飛放出簽訂存儲芯片供貨協議…,就非常警覺,美光,英飛凌,東芝,日立立即召開會議,

從這消息分析芯片存儲的價格,到底有多低到底大深市芯片產業有限公司與哪一家簽訂協議….?

同時也對消息的真假進行分析,注意到三木桑會長李健正在華夏國,雖然說去三木桑在華夏國廣粵省的工廠,但是,又去過大深市,

也就是說,這一則消息,基本確定是真的。那么,大深市芯片產業有限公司公司可能與三木桑公司簽訂供貨協議…

這么一刺激,美光,英飛凌,東芝,日立,就立即意識到這是最后一次商談的機會,拿出最終的價格…,

美光公司董事長,英飛凌公司的董事長,紛紛來到華夏國,與大深市芯片產業有限公司商談,

不過,李飛在存儲芯片供應鏈上,目前是排除了這兩家,所以,對美光,英飛凌這兩家的芯片存儲價格沒有很大的興趣,

也就是說,李飛在與美光公司,英飛凌公司商談過程里,很冷靜,擺出強勢的態度,令兩家的董事長,戰戰兢兢…。

經過一番討價還價,美光,英飛凌兩家公司最終的報價,在128兆NAND存儲價格上報價8.58.3美金。所以,是遠遠高于三木桑公司8美金的報價…。

當然,公司之間的商業會談,說簡單,就簡單,說復雜,就很復雜…。但是,對大深市芯片產業有限公司來說,是非常簡單,在保證芯片存儲質量的前提之下,價格下調20,即8美金。誰家存儲芯片價格便宜,就有資格成為供應商…

而對芯片制造商來說,是非常復雜,要想成為大深市芯片產業有限公司存儲芯片供應商,不光是在價格上,還要與對手競爭…。

與全球5大存儲芯片制造公司周旋的同時,李飛注冊浸沒式光刻機技術,也發表3篇論文,關于目前光刻機的技術難點,作出具體分析,以及應對解決方案…

隨著芯片的技術發展,其芯片的功能越來越多,而芯片集成的晶體管就越來越多,芯片面積的要求,也越來越小,那么,意味著芯片制程就就越來越高,

大深市芯片產業有限公司,作為一家芯片設計公司,是十分關注芯片制程的問題,從1996年,公司研發出500nmFM芯片,再到1999年,研發出手機芯片,就越來意識到芯片制程是非常重要…,

希望目前芯片制程能力,做到65納米,45nm,甚至是28nm以下…。

眾所周知,要想提高芯片制程的能力,光刻技術就特別重要了,就需要每年把光刻機的曝光關鍵尺寸(CD)降低3050。根據公式:CDk1(λ/NA),降低波長λ,提高鏡頭的數值孔徑NA,降低綜合因素k1。

以目前的光刻機技術,直接降低波長λ,是最直接的辦法,為了降低光源的波長,全球光刻機廠商都投入巨資,研發下一代光刻機光源技術,

根據目前全球的光刻機技術,其中,尼康投入巨資研發出波長更低的157nmF2準分子激光做為光源,但是,被現有193nm機器用的鏡片吸收,造成分辨率等問題,并且,光刻膠也要重新研制,所以改造難度極大,而對193nm的波長進步只有不到25,研發投入產出之間的比例,是非常之低…

可以說,變動時非常大的。基本從目前193nm光刻技術上推倒重來。

還有就是,由米國組織的EUV聯盟,而這個聯盟是由英特爾,AMD,摩托羅拉,ASML,英飛凌等企業組成,正在驗證了EUV光刻機的可行性…。

相對以上的兩種光刻機技術方案,都不是最優的,特別是EUV聯盟,所主導的EUV光刻機方案,以目前的技術是非常難以實現,并且,是需要巨額的資金,沒有一家公司能承受…。

那么,以目前的光刻技術193nmArF光源的干法光刻機,作出簡單的更改,就能把光源波長降低,

降低光源的波長,可以在鏡頭與晶圓曝光區域之間的介質從空氣換成水,由于水的折射率大約為1.4,那么波長可縮短為193/1.4132nm,大大超過攻而不克的157nm,完全可以實現45nm,甚至是28nm以下制程。

其工作原理就是:利用光通過水介質后光源波長縮短來提高分辨率,而浸沒式光刻機采用折射和反射相結合的光路設計。這種設計可以減少投影系統光學元件的數目,控制像差和熱效應,實現光刻技術…

根據以上的數據,浸入式光刻機,可以說屬于輕微地改進,能產生巨大的經濟效應,其光刻機的產品成熟度是非常高的,

不過,順便說一下,由米國組織EUVLLC聯盟,是在2003年,這個EUVLLC聯盟解散,也就是說,這個聯盟只是存在了6年。

當時尼康光刻機是沒有進入EUV聯盟,米國認為這是米國的高科技,怎么能分興給外國企業…。

具體原因還是當時米國半導體,甚至是光刻機SVG公司、被曰本公司,尼康公司打得落花流水,所以,擔心曰本企業強大,米國拒絕尼康公司加入EUV協會…。

雖然說,ASML加入EUV聯盟,但是,并沒有立即研發出EUV光刻機

因為在90年代,ASML還是一家小公司,每年的盈利是非常少,而研發EUV光刻機,其每年研發的費用高達10億美金,所以,在90年代,ASML根本沒有實力研發EUV光刻機,

而是跟隨尼康光刻機的腳步,也從事157nm研發,ASML收購米國光刻機SVG公司,獲取了反射技術,2003年出品了157nm機器…,很顯然,在最后,不論技術,還是成本完敗于低成本的浸入式193nm。

不過,根據21世紀網絡新聞記載,在2002年,臺積電公司林本堅,在一次技術研討會上提出了浸入式193nm的方案,

隨后,林本堅帶著浸入式193nm的方案,跑遍米國,曰本,德國光刻機公司,說服大廠們采用“浸入式光刻”方案,基本都是被拒絕。因為以上的公司正在研發157nm,那么。現在研發浸入式193nm,就意味著之前的巨量研發都打水漂,

ASML在一年的時間內就開發出樣機,充分證明了該方案的工程技術和成本,遠遠優于157nmF2…。

就這樣,ASML正式一步步成為光刻機第一,并且,積累了原始的資金后,ASML正式在2007年,啟動EUV光刻機研發,

在3年后,也就說2010年誕生的第一臺EUV光刻機的研發用樣機:NXE3100。

2012年,ASML請英特爾、三星和臺積電入股,希望大家共同承擔EUV光刻機研發工程,因為每年的EUV光刻機的研發費用,需要每年10億歐元。

雖然說尼康被迫隨后也宣布去做浸入式光刻機,但是,在光刻領域是贏家通吃,這是因為新產品總是需要至少13年時間,與芯片制造工廠在技術上之間磨合。

那么,ASML比尼康公司,提前2年時間,去改善問題和提高良率,最后導致尼康光刻機從2000年的市場占有率第一,到了2009年市場占有率不到30,到了2020年,就更不用說了,只有10,且尼康光刻機產品只是用在低端的芯片工藝制程…。

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