對于10億美金存儲芯片訂單，世界5大存儲芯片制造商，美光公司，三木桑公司，英飛凌公司，東芝公司，日立公司，可謂是饞涎欲滴，非常期望獲得大深市芯片產業有限公司的存儲芯片巨額訂單。
所以，當李飛放出簽訂存儲芯片供貨協議…，就非常警覺，美光，英飛凌，東芝，日立立即召開會議，
從這消息分析芯片存儲的價格，到底有多低到底大深市芯片產業有限公司與哪一家簽訂協議….？
同時也對消息的真假進行分析，注意到三木桑會長李健正在華夏國，雖然說去三木桑在華夏國廣粵省的工廠，但是，又去過大深市，
也就是說，這一則消息，基本確定是真的。那么，大深市芯片產業有限公司公司可能與三木桑公司簽訂供貨協議…
這么一刺激，美光，英飛凌，東芝，日立，就立即意識到這是最后一次商談的機會，拿出最終的價格…，
美光公司董事長，英飛凌公司的董事長，紛紛來到華夏國，與大深市芯片產業有限公司商談，
不過，李飛在存儲芯片供應鏈上，目前是排除了這兩家，所以，對美光，英飛凌這兩家的芯片存儲價格沒有很大的興趣，
也就是說，李飛在與美光公司，英飛凌公司商談過程里，很冷靜，擺出強勢的態度，令兩家的董事長，戰戰兢兢…。
經過一番討價還價，美光，英飛凌兩家公司最終的報價，在128兆NAND存儲價格上報價8.58.3美金。所以，是遠遠高于三木桑公司8美金的報價…。
當然，公司之間的商業會談，說簡單，就簡單，說復雜，就很復雜…。但是，對大深市芯片產業有限公司來說，是非常簡單，在保證芯片存儲質量的前提之下，價格下調20，即8美金。誰家存儲芯片價格便宜，就有資格成為供應商…
而對芯片制造商來說，是非常復雜，要想成為大深市芯片產業有限公司存儲芯片供應商，不光是在價格上，還要與對手競爭…。
與全球5大存儲芯片制造公司周旋的同時，李飛注冊浸沒式光刻機技術，也發表3篇論文，關于目前光刻機的技術難點，作出具體分析，以及應對解決方案…
隨著芯片的技術發展，其芯片的功能越來越多，而芯片集成的晶體管就越來越多，芯片面積的要求，也越來越小，那么，意味著芯片制程就就越來越高，
大深市芯片產業有限公司，作為一家芯片設計公司，是十分關注芯片制程的問題，從1996年，公司研發出500nmFM芯片，再到1999年，研發出手機芯片，就越來意識到芯片制程是非常重要…，
希望目前芯片制程能力，做到65納米，45nm，甚至是28nm以下…。
眾所周知，要想提高芯片制程的能力，光刻技術就特別重要了，就需要每年把光刻機的曝光關鍵尺寸（CD）降低3050。根據公式：CDk1（λ/NA），降低波長λ，提高鏡頭的數值孔徑NA，降低綜合因素k1。
以目前的光刻機技術，直接降低波長λ，是最直接的辦法，為了降低光源的波長，全球光刻機廠商都投入巨資，研發下一代光刻機光源技術，
根據目前全球的光刻機技術，其中，尼康投入巨資研發出波長更低的157nmF2準分子激光做為光源，但是，被現有193nm機器用的鏡片吸收，造成分辨率等問題，并且，光刻膠也要重新研制，所以改造難度極大，而對193nm的波長進步只有不到25，研發投入產出之間的比例，是非常之低…
可以說，變動時非常大的。基本從目前193nm光刻技術上推倒重來。
還有就是，由米國組織的EUV聯盟，而這個聯盟是由英特爾，AMD，摩托羅拉，ASML，英飛凌等企業組成，正在驗證了EUV光刻機的可行性…。
相對以上的兩種光刻機技術方案，都不是最優的，特別是EUV聯盟，所主導的EUV光刻機方案，以目前的技術是非常難以實現，并且，是需要巨額的資金，沒有一家公司能承受…。
那么，以目前的光刻技術193nmArF光源的干法光刻機，作出簡單的更改，就能把光源波長降低，
降低光源的波長，可以在鏡頭與晶圓曝光區域之間的介質從空氣換成水，由于水的折射率大約為1.4，那么波長可縮短為193/1.4132nm，大大超過攻而不克的157nm，完全可以實現45nm，甚至是28nm以下制程。
其工作原理就是：利用光通過水介質后光源波長縮短來提高分辨率，而浸沒式光刻機采用折射和反射相結合的光路設計。這種設計可以減少投影系統光學元件的數目，控制像差和熱效應，實現光刻技術…
根據以上的數據，浸入式光刻機，可以說屬于輕微地改進，能產生巨大的經濟效應，其光刻機的產品成熟度是非常高的，
不過，順便說一下，由米國組織EUVLLC聯盟，是在2003年，這個EUVLLC聯盟解散，也就是說，這個聯盟只是存在了6年。
當時尼康光刻機是沒有進入EUV聯盟，米國認為這是米國的高科技，怎么能分興給外國企業…。
具體原因還是當時米國半導體，甚至是光刻機SVG公司、被曰本公司，尼康公司打得落花流水，所以，擔心曰本企業強大，米國拒絕尼康公司加入EUV協會…。
雖然說，ASML加入EUV聯盟，但是，并沒有立即研發出EUV光刻機
因為在90年代，ASML還是一家小公司，每年的盈利是非常少，而研發EUV光刻機，其每年研發的費用高達10億美金，所以，在90年代，ASML根本沒有實力研發EUV光刻機，
而是跟隨尼康光刻機的腳步，也從事157nm研發，ASML收購米國光刻機SVG公司，獲取了反射技術，2003年出品了157nm機器…，很顯然，在最后，不論技術，還是成本完敗于低成本的浸入式193nm。
不過，根據21世紀網絡新聞記載，在2002年，臺積電公司林本堅，在一次技術研討會上提出了浸入式193nm的方案，
隨后，林本堅帶著浸入式193nm的方案，跑遍米國，曰本，德國光刻機公司，說服大廠們采用“浸入式光刻”方案，基本都是被拒絕。因為以上的公司正在研發157nm，那么。現在研發浸入式193nm，就意味著之前的巨量研發都打水漂，
ASML在一年的時間內就開發出樣機，充分證明了該方案的工程技術和成本，遠遠優于157nmF2…。
就這樣，ASML正式一步步成為光刻機第一，并且，積累了原始的資金后，ASML正式在2007年，啟動EUV光刻機研發，
在3年后，也就說2010年誕生的第一臺EUV光刻機的研發用樣機：NXE3100。
2012年，ASML請英特爾、三星和臺積電入股，希望大家共同承擔EUV光刻機研發工程，因為每年的EUV光刻機的研發費用，需要每年10億歐元。
雖然說尼康被迫隨后也宣布去做浸入式光刻機，但是，在光刻領域是贏家通吃，這是因為新產品總是需要至少13年時間，與芯片制造工廠在技術上之間磨合。
那么，ASML比尼康公司，提前2年時間，去改善問題和提高良率，最后導致尼康光刻機從2000年的市場占有率第一，到了2009年市場占有率不到30，到了2020年，就更不用說了，只有10，且尼康光刻機產品只是用在低端的芯片工藝制程…。
